相對以上的兩種光刻機技術方案，都不是最優的，特彆是euv聯盟，所主導的euv光刻機方案，以目前的技術是非常難以實現，並且，是需要巨額的資金，沒有一家公司能承受…。
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那麼，以目前的光刻技術193narf光源的乾法光刻機，作出簡單的更改，就能把光源波長降低，
降低光源的波長，可以在鏡頭與晶圓曝光區域之間的介質從空氣換成水，由於水的折射率大約為14，那麼波長可縮短為19314132n，大大超過攻而不克的157n，完全可以實現45n，甚至是28n以下製程。
其工作原理就是利用光通過水介質後光源波長縮短來提高分辨率，而浸沒式光刻機采用折射和反射相結合的光路設計。這種設計可以減少投影係統光學元件的數目，控製像差和熱效應，實現光刻技術…
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根據以上的數據，浸入式光刻機，可以說屬於輕微地改進，能產生巨大的經濟效應，其光刻機的產品成熟度是非常高的，
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不過，順便說一下，由米國組織euvllc聯盟，是在2003年，這個euvllc聯盟解散，也就是說，這個聯盟隻是存在了6年。
當時尼康光刻機是沒有進入euv聯盟，米國認為這是米國的高科技，怎麼能分興給外國企業…。
具體原因還是當時米國半導體，甚至是光刻機svg公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，擔心曰本企業強大，米國拒絕尼康公司加入euv協會…。
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雖然說，asl加入euv聯盟，但是，並沒有立即研發出euv光刻機
因為在90年代，asl還是一家小公司，每年的盈利是非常少，而研發euv光刻機，其每年研發的費用高達10億美金，所以，在90年代，asl根本沒有實力研發euv光刻機，
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而是跟隨尼康光刻機的腳步，也從事157n公司，獲取了反射技術，2003年出品了157n機器…，很顯然，在最後，不論技術，還是成本完敗於低成本的浸入式193n。
不過，根據21世紀網絡新聞記載，在2002年，台積電公司林本堅，在一次技術研討會上提出了浸入式193n的方案，
隨後，林本堅帶著浸入式193n的方案，跑遍米國，曰本，德國光刻機公司，說服大廠們采用“浸入式光刻”方案，基本都是被拒絕。因為以上的公司正在研發157n，那麼。現在研發浸入式193n，就意味著之前的巨量研發都打水漂，
最後，林本堅找到asl，由於當時asl公司在光刻機占有率很少，所以，決定了研發浸入式193n，
asl在一年的時間內就開發出樣機，充分證明了該方案的工程技術和成本，遠遠優於157nf2…。
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就這樣，asl正式一步步成為光刻機第一，並且，積累了原始的資金後，asl正式在2007年，啟動euv光刻機研發，
在3年後，也就說2010年誕生的第一台euv光刻機的研發用樣機nxe3100。
2012年，asl請英特爾、三星和台積電入股，希望大家共同承擔euv光刻機研發工程，因為每年的euv光刻機的研發費用，需要每年10億歐元。
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雖然說尼康被迫隨後也宣布去做浸入式光刻機，但是，在光刻領域是贏家通吃，這是因為新產品總是需要至少13年時間，與芯片製造工廠在技術上之間磨合。
那麼，asl比尼康公司，提前2年時間，去改善問題和提高良率，最後導致尼康光刻機從2000年的市場占有率第一，到了2009年市場占有率不到30，到了2020年，就更不用說了，隻有10，且尼康光刻機產品隻是用在低端的芯片工藝製程…。
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在1999年9月，這3篇論文不到2萬字，關於浸入式光刻機，迅速地引起了全球的專家和公司的注意，
其原因就是李飛的身份，是大深市芯片產業有限公司的創始人，世界藍牙技術協會會長，再加上研發出劃時代的3，u盤…等產品，
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在尼康公司光刻機部門，正在召開會議，商討浸入式光刻機技術可行…。