集成電路（tegratedcircuit，簡稱ic）的發展曆史可以追溯到101novel.com世紀中葉。以下是其發展的主要曆程和趨勢
早期發展階段11947年貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓發明了晶體管，這是微電子技術發展中的第一個裡程碑。
1950年結型晶體管誕生。
1951年場效應晶體管發明。
1956年csfuller發明了擴散工藝。
1958年仙童公司的羅伯特·諾伊斯和德州儀器的傑克·基爾比分彆發明了集成電路，開創了世界微電子學的曆史。
技術進步1960年hhloor和ecastelni發明了光刻工藝。
1962年美國rca公司研製出os場效應晶體管。
1963年fanss和ctsah首次提出os技術，今天95以上的集成電路芯片都是基於os工藝。
1964年英特爾的摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加一倍。
1966年美國rca公司研製出os集成電路，並研製出第一塊門陣列（50門）。
1967年應用材料公司（pliedaterials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司。
大規模集成電路時代1971年英特爾推出1kb動態隨機存儲器（dra），標誌著大規模集成電路出現。
1971年全球第一個微處理器4004由英特爾公司推出，采用的是os工藝，這是一個裡程碑式的發明。
1974年rca公司推出第一個os微處理器1802。
1976年16kbdra和4kbsra問世。
1978年64kb動態隨機存儲器誕生，不足05平方厘米的矽片上集成了14萬個晶體管，標誌著超大規模集成電路（vlsi）時代的來臨。
個人電腦時代11979年英特爾推出5hz8088微處理器，之後，ib基於8088推出全球第一台pc。
1981年256kbdra和64kbossra問世。
1984年日本宣布推出1bdra和256kbsra。
1985年微處理器問世，101novel.comhz。
1988年16dra問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個晶體管，標誌著進入超大規模集成電路（vlsi）階段。
現代發展1989年1bdra進入市場。
1989年486微處理器推出，25hz，1μ工藝，後來50hz芯片采用08μ工藝。
1992年64位隨機存儲器問世。
1993年66hz奔騰處理器推出，采用06μ工藝。
1995年pentiupro，133hz，采用06035μ工藝。
1997年300hz奔騰2問世，采用025μ工藝。
1999年奔騰3問世，450brahz，采用018μ工藝。
101novel.com01年英特爾宣布101novel.com01年下半年采用013μ工藝。